Plazma RIE (Reactive Ion Etching) służy głównie do precyzyjnego, kontrolowanego trawienia materiałów w mikroelektronice, fotonice oraz w technologii półprzewodnikowej. Jest to technika plazmowa, w której używa się reaktywnych gazów oraz pola elektromagnetycznego do usuwania cienkich warstw materiału z powierzchni podłoża, najczęściej krzemu, tlenków, azotków, metali i polimerów.
Zastosowania:
Tworzenie mikrostruktur na powierzchniach półprzewodników (np. w produkcji układów scalonych, MEMS, fotonikie, czujnikach).
Obróbka cienkowarstwowych materiałów i wzorowanie warstw tlenkowych, polimerowych lub metalicznych w precyzyjnych technologiach produkcyjnych.
Usuwanie zanieczyszczeń chemicznych oraz modyfikacja właściwości powierzchni, np. poprawa adhezji, sterylizacji, aktywacja powierzchni przed nakładaniem kolejnych warstw.
(szer.) 425 mm : (wys.) 310 mm (gł.): 450 mm
Aluminiowa, okrągła, z pokrywką
Ø: 190 mm wys.: 60 mm Pojemność ok. 1 l
13,56 MHz | Moc 0 – 200 W
manualne – moc, przepływ gazów procesowych
wyposażona w timer
2 wejścia dla gazów procesowych
Przepływ gazu na poziomie 0,1 litra/min.
wymagane ciśnienie na wyjściu z butli – 0,5-1,0 bar
230 V | 50 – 60 Hz
Wydajność min. 3 m³/h
Skontaktuj się z nami, aby uzyskać ofertę dopasowaną do Twojej branży i potrzeb.
Oferujemy systemy plazmowe marki Diener electronic.